冠亚恒温小编为大家解析常温高精度系列设备在晶圆制程常温控温中的应用。晶圆制程涵盖光刻、涂胶显影、薄膜沉积、测试等多个环节,常温区间(+15℃至 + 25℃)的温度稳定性直接影响晶圆的加工精度与良率,该系列设备以 ±0.005℃的控温精度,适配晶圆制程的常温温控需求。

该系列设备温度范围为 + 15℃至 + 25℃,可满足晶圆制程对常温区间的温控需求,出口控温精度 ±0.005℃,可定制更高精度配置,减少温度波动对晶圆制程的影响。制冷量 @20℃覆盖 2.5kW 至 25kW,可根据不同制程设备的热负荷需求选择适配型号,保障冷量供给稳定。
在光刻环节,设备可为光刻机的光学系统、晶圆台提供稳定的冷却介质,控制设备运行温度,避免温度过高或波动导致的设备性能偏差,保障光刻胶的曝光效果与芯片关键尺寸精度。在涂胶显影环节,设备可为涂胶机、显影机的温控模块提供稳定的冷却介质,控制设备运行温度,避免温度波动导致的涂胶不均等问题,保障晶圆表面的光刻胶涂布均匀性与显影效果。
在晶圆测试环节,设备可为晶圆测试腔体提供稳定的冷却介质,维持测试环境温度恒定,确保批量晶圆测试数据的一致性,避免因温度波动导致的测试误差,提升测试效率与准确性。介质适配方面,设备支持氟化液、DI 水等介质,其中 DI 水可满足微电子领域对低电导率的要求,适配晶圆制程对介质洁净度的需求,避免杂质污染晶圆表面。
控制模式采用本体出液口温度控制模式,可选工件负载温度控制,工艺工程温度控制可根据自创无模型自建树算法和串级算法结合,控制工件目标温度,实现动态控温,减少温度偏差对晶圆制程的影响。设备的安全防护配置适配半导体车间运行规范,具备多种保护功能,实时监测设备运行状态,异常时自动报jing并停机,保障设备与制程设备的安全运行。通讯方面,支持多种协议,可接入产线自动化控制系统,实现远程监控与参数调整,适配半导体产线的自动化运行需求。
常温高精度系列设备以高精度控温、多介质适配与稳定运行的特性,为晶圆制程提供了可靠的温控支持,保障晶圆加工精度与良率。

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